Продукція > IXYS > IXTA52P10P
IXTA52P10P

IXTA52P10P IXYS

media-3322437.pdf Виробник: IXYS
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.31 грн
10+478.16 грн
50+399.19 грн
100+344.10 грн
250+327.50 грн
500+302.60 грн
1000+297.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA52P10P IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXTA52P10P за ціною від 234.28 грн до 638.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.70 грн
50+316.04 грн
100+290.40 грн
500+234.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+638.27 грн
25+483.36 грн
100+327.60 грн
250+283.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_52p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P IXTA52P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_52p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTA52P10P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.