IXTA52P10P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 535.12 грн |
| 50+ | 279.87 грн |
| 100+ | 257.17 грн |
| 500+ | 207.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA52P10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO263, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA.
Інші пропозиції IXTA52P10P за ціною від 248.96 грн до 550.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA52P10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|