| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 284.89 грн |
| 10+ | 179.62 грн |
| 50+ | 139.18 грн |
| 100+ | 118.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA60N10T-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: N, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, Power dissipation: 176W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 18mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 49nC, Application: automotive industry, Reverse recovery time: 59ns.
Інші пропозиції IXTA60N10T-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA60N10T-TRL | IXYS |
 MOSFETs IXTA60N10T TRL |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA60N10T-TRL |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs IXTA60N10T TRL
MOSFETs IXTA60N10T TRL
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)