Інші пропозиції IXTA60N10T за ціною від 77.11 грн до 251.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTA60N10T | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTA60N10T | IXYS |
MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTA60N10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 218.23 грн |
| 50+ | 114.26 грн |
| 100+ | 104.40 грн |
| 500+ | 81.51 грн |
| 1000+ | 77.11 грн |
| IXTA60N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
MOSFETs 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.28 грн |
| 10+ | 146.87 грн |
| 100+ | 107.69 грн |
| 500+ | 78.70 грн |



