IXTA60N20T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 305.95 грн |
3+ | 255.35 грн |
4+ | 204 грн |
10+ | 203.32 грн |
11+ | 192.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA60N20T за ціною від 230.84 грн до 367.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA60N20T | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO263 Drain current: 60A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTA60N20T Код товару: 108659 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
IXTA60N20T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTA60N20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTA60N20T | Виробник : IXYS | MOSFET 60 Amps 200V |
товар відсутній |