на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 950.11 грн |
| 10+ | 844.11 грн |
| 25+ | 702.79 грн |
| 50+ | 677.54 грн |
| 100+ | 634.37 грн |
| 250+ | 622.41 грн |
| 500+ | 583.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA64N10L2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, Power dissipation: 357W, Case: TO263, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 0.1µC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, Reverse recovery time: 180ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTA64N10L2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA64N10L2 | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTA64N10L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA |
товар відсутній |
|
|
|
IXTA64N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 357W; TO263; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 357W Case: TO263 On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 180ns |
товар відсутній |