на замовлення 350 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 851.43 грн |
| 50+ | 527.93 грн |
| 100+ | 406.83 грн |
| 250+ | 403.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
| IXTA6N100D2 | Виробник : IXYS |
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTA6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |