на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1179.88 грн |
| 10+ | 960.47 грн |
| 25+ | 781.61 грн |
| 50+ | 744.92 грн |
| 100+ | 716.30 грн |
| 250+ | 674.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N100D2HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTA6N100D2HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N100D2HV | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HVPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |