IXTA6N50D2-TRL IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 818.30 грн |
| 10+ | 547.04 грн |
| 100+ | 434.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N50D2-TRL IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N50D2-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA6N50D2-TRL | IXYS |
MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 472-481 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA6N50D2-TRL |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 472-481 дні (днів)



