Продукція > IXYS > IXTA6N50D2
IXTA6N50D2

IXTA6N50D2 IXYS


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-6N50-Datasheet.PDF?assetguid=55BBD511-42CB-4098-A3A2-75365A398F37
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.99 грн
50+379.06 грн
100+350.07 грн
500+297.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA6N50D2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA6N50D2 за ціною від 388.55 грн до 808.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 Виробник : IXYS media-3320818.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 720 шт:
термін постачання 441-450 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.77 грн
50+527.19 грн
100+418.60 грн
500+388.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.