IXTA6N50D2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 752.86 грн |
| 10+ | 587.94 грн |
| 25+ | 493.77 грн |
| 50+ | 454.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N50D2 за ціною від 350.83 грн до 861.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N50D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-263AA Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTA6N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA6N50D2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 861.91 грн |
| 10+ | 575.95 грн |
| 50+ | 467.42 грн |
| 100+ | 405.95 грн |
| 500+ | 350.83 грн |
| IXTA6N50D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)