IXTA6N50D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 832.90 грн |
| 50+ | 451.70 грн |
| 100+ | 418.00 грн |
| 500+ | 339.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA6N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA6N50D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA6N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTA6N50D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)