Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA75N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc).
Інші пропозиції IXTA75N10P за ціною від 161.80 грн до 384.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA75N10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|