Продукція > IXYS > IXTA75N10P
IXTA75N10P

IXTA75N10P IXYS


ixys_s_a0008598160_1-2272905.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.36 грн
10+ 346.81 грн
50+ 284.97 грн
100+ 246.44 грн
500+ 210.57 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA75N10P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PolarHT™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 75A, Power dissipation: 360W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 74nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 120ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTA75N10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA75N10P IXTA75N10P Виробник : IXYS 99158.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA75N10P IXTA75N10P Виробник : IXYS IXTA75N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA75N10P IXTA75N10P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_75n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA75N10P IXTA75N10P Виробник : IXYS IXTA75N10P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній