IXTA75N10P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 404.51 грн |
| 50+ | 219.56 грн |
| 100+ | 202.54 грн |
| 500+ | 170.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA75N10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTA75N10P за ціною від 252.60 грн до 407.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA75N10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IXTA75N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IXTA75N10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ |
товару немає в наявності |

