Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTA76P10T

IXTA76P10T

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 271.95 грн до 607.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+445.56 грн
3+366.47 грн
5+337.45 грн
10+298.48 грн
25+271.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.53 грн
50+319.73 грн
100+294.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_76P10T_Datasheet.PDF MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTA76P10T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+445.56 грн
3+366.47 грн
5+337.45 грн
10+298.48 грн
25+271.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
IXTA76P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.53 грн
50+319.73 грн
100+294.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_76P10T_Datasheet.PDF
IXTA76P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.