IXTA76P10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 480.12 грн |
| 3+ | 417.22 грн |
| 5+ | 395.35 грн |
| 10+ | 354.98 грн |
| 25+ | 294.41 грн |
| 50+ | 275.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA76P10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 208.43 грн до 587.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IXTA76P10T Код товару: 198462
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|