Продукція > IXYS > IXTA76P10T
IXTA76P10T

IXTA76P10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.92 грн
3+352.90 грн
4+281.85 грн
9+266.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA76P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 209.82 грн до 626.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+470.00 грн
10+414.08 грн
25+409.59 грн
50+363.86 грн
100+269.25 грн
1000+222.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+506.15 грн
28+441.10 грн
50+391.85 грн
100+289.97 грн
1000+239.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.51 грн
3+439.76 грн
4+338.22 грн
9+319.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.73 грн
50+285.77 грн
100+262.38 грн
500+209.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+606.22 грн
5+513.73 грн
10+420.40 грн
50+304.49 грн
100+258.01 грн
250+252.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS media-3319760.pdf MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.97 грн
10+612.84 грн
50+296.81 грн
100+290.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.