Продукція > IXYS > IXTA76P10T
IXTA76P10T

IXTA76P10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.31 грн
3+398.55 грн
5+368.21 грн
10+323.10 грн
50+268.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA76P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 215.02 грн до 636.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+525.53 грн
28+457.98 грн
50+406.85 грн
100+301.07 грн
1000+248.70 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.91 грн
50+292.84 грн
100+268.88 грн
500+215.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.06 грн
10+496.08 грн
25+490.70 грн
50+435.91 грн
100+322.57 грн
1000+266.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.57 грн
3+496.65 грн
5+441.85 грн
10+387.72 грн
50+322.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_76P10T_Datasheet.PDF MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.68 грн
10+325.02 грн
100+259.01 грн
500+242.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+636.74 грн
5+539.60 грн
10+441.57 грн
50+319.82 грн
100+271.00 грн
250+265.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T
Код товару: 198462
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA76P10T IXTA76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.