Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 256.39 грн до 668.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Gate-source voltage: ±15V Gate charge: 197nC Reverse recovery time: 70ns On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 298W Kind of package: tube Case: TO263 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|