на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 520.68 грн |
| 28+ | 453.76 грн |
| 50+ | 403.10 грн |
| 100+ | 298.29 грн |
| 1000+ | 246.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA76P10T Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTA76P10T за ціною від 218.11 грн до 665.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA76P10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IXTA76P10T | Виробник : IXYS |
IXTA76P10T SMD P channel transistors |
на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IXTA76P10T Код товару: 198462
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IXTA76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
товару немає в наявності |


