Продукція > IXYS > IXTA80N075L2
IXTA80N075L2

IXTA80N075L2 IXYS

IXTA(H,P)80N075L2.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1091.22 грн
5+878.68 грн
10+774.56 грн
25+678.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA80N075L2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTA80N075L2 за ціною від 601.39 грн до 1322.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.82 грн
10+903.11 грн
50+744.95 грн
100+651.44 грн
500+601.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_80N075_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET N CHANNEL
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1322.82 грн
10+903.11 грн
50+744.95 грн
100+651.44 грн
500+601.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_80N075_Datasheet.PDF
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET N CHANNEL
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.