Інші пропозиції IXTA8N50P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA8N50P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA8N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA8N50P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTA8N50P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns |
товару немає в наявності |