Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTA90N055T2
IXTA90N055T2

IXTA90N055T2 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA90N055T2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTA90N055T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTA90N055T2 IXTA90N055T2 Виробник : IXYS media-3322040.pdf MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.