Продукція > LITTELFUSE > IXTA96P085T
IXTA96P085T

IXTA96P085T Littelfuse

use_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA96P085T Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

Інші пропозиції IXTA96P085T за ціною від 206.19 грн до 481.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.18 грн
3+ 317.12 грн
4+ 253.14 грн
9+ 239.23 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.42 грн
50+ 321.11 грн
100+ 287.3 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907365-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+419.4 грн
5+ 389.44 грн
10+ 359.48 грн
50+ 305.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+447.51 грн
10+ 385.07 грн
25+ 382.32 грн
50+ 345.12 грн
100+ 276.23 грн
500+ 206.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS media-3321966.pdf MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.09 грн
10+ 433.78 грн
50+ 320.45 грн
100+ 277.73 грн
500+ 261.04 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+456.86 грн
30+ 390.2 грн
50+ 352.2 грн
100+ 281.93 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+457.49 грн
10+ 393.63 грн
25+ 390.74 грн
50+ 352.68 грн
100+ 282.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+461.42 грн
27+ 441.59 грн
50+ 424.77 грн
100+ 395.7 грн
250+ 355.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.42 грн
3+ 395.18 грн
4+ 303.76 грн
9+ 287.07 грн
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+481.93 грн
29+ 411.73 грн
50+ 371.67 грн
100+ 297.48 грн
500+ 222.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA96P085T IXTA96P085T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній