на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTA96P085T Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTA96P085T за ціною від 214.53 грн до 593.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V |
на замовлення 6762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA96P085T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds |
на замовлення 7380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTA96P085T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTA96P085T | Виробник : IXYS |
IXTA96P085T SMD P channel transistors |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IXTA96P085T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |