Продукція > LITTELFUSE > IXTA96P085T
IXTA96P085T

IXTA96P085T Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+467.32 грн
50+401.26 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTA96P085T Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTA96P085T за ціною від 225.22 грн до 608.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.68 грн
50+402.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.55 грн
50+419.67 грн
100+377.15 грн
500+335.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+502.55 грн
50+419.67 грн
100+377.15 грн
500+335.61 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+556.13 грн
27+532.24 грн
50+511.96 грн
100+476.93 грн
250+428.20 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
50+320.45 грн
100+294.83 грн
500+234.59 грн
1000+225.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_96P085T_Datasheet.PDF MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T media.pdf
IXTA96P085T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+468.68 грн
50+402.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T media.pdf
IXTA96P085T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+502.55 грн
50+419.67 грн
100+377.15 грн
500+335.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T media.pdf
IXTA96P085T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+502.55 грн
50+419.67 грн
100+377.15 грн
500+335.61 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T media.pdf
IXTA96P085T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+556.13 грн
27+532.24 грн
50+511.96 грн
100+476.93 грн
250+428.20 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
IXTA96P085T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.88 грн
50+320.45 грн
100+294.83 грн
500+234.59 грн
1000+225.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_96P085T_Datasheet.PDF
IXTA96P085T
Виробник: IXYS
MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96p085t-datasheet?assetguid=961f5f5c-1ad9-4e7d-b8e3-2e5ee68588a7
IXTA96P085T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.