Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTB30N100L

IXTB30N100L Littelfuse Inc.

Name: IXTB30N100L
Brand: IXYS
SKU: 146054-4
Price: 1286085.00 UAH
Availability: BackOrder

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb30n100l_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTB30N100L Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Supplier Device Package: PLUS264™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTB30N100L

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IXTB30N100L	Виробник : IXYS	MOSFETs 30 Amps 1000V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IXTB30N100L	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 545nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.