Продукція > IXYS > IXTB62N50L
IXTB62N50L

IXTB62N50L IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91715820&compId=IXTB62N50L.pdf?ci_sign=66200fb3788cd98b8ebf33594da493e1a774227b Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 550nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2460.81 грн
2+2160.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTB62N50L IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTB62N50L за ціною від 2691.76 грн до 4627.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTB62N50L IXTB62N50L Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B91715820&compId=IXTB62N50L.pdf?ci_sign=66200fb3788cd98b8ebf33594da493e1a774227b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 550nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2952.97 грн
2+2691.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L IXTB62N50L Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4504.23 грн
25+3198.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50L IXTB62N50L Виробник : IXYS media-3320197.pdf MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4627.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.