
IXTB62N50L IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 550nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2460.81 грн |
2+ | 2160.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTB62N50L IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTB62N50L за ціною від 2691.76 грн до 4627.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTB62N50L | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 0.1Ω Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 550nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 62A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTB62N50L | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXTB62N50L | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|