IXTE250N10 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 730W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTE250N10 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Supplier Device Package: SOT-227B, Power Dissipation (Max): 730W, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTE250N10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTE250N10 | IXYS | MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTE250N10 |
Виробник: IXYS
MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.