IXTF02N450 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2862.81 грн |
| 25+ | 2309.97 грн |
| 100+ | 2155.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTF02N450 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXTF02N450 за ціною від 1930.5 грн до 3109.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTF02N450 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTF02N450 | Виробник : IXYS |
MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTF02N450 Код товару: 147768 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IXTF02N450 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTF02N450 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTF02N450 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 78W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c On-state resistance: 625Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTF02N450 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 78W; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 78W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c On-state resistance: 625Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs |
товар відсутній |