Продукція > IXYS > IXTF1N450
IXTF1N450

IXTF1N450 IXYS

DS100501DIXTF1N450.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6312.86 грн
25+4977.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTF1N450 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTF1N450 - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.9A, ISOPLUS-I4, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IXTF1N450

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTF1N450 IXTF1N450 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTF1N450_Datasheet.PDF MOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450 IXTF1N450 LITTELFUSE LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTF1N450 - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.9A, ISOPLUS-I4
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTF1N450_Datasheet.PDF
IXTF1N450
Виробник: IXYS
MOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450 LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTF1N450
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTF1N450 - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.9A, ISOPLUS-I4
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.