IXTH02N250 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1179.32 грн |
| 30+ | 919.34 грн |
| 120+ | 865.25 грн |
| 510+ | 735.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH02N250 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH02N250 за ціною від 715.68 грн до 1268.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : IXYS |
MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W Case: TO247-3 On-state resistance: 450Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH02N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2.5kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W Case: TO247-3 On-state resistance: 450Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.5µs |
товар відсутній |