Продукція > IXYS > IXTH02N250

IXTH02N250 IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTH02N250_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1105.81 грн
10+799.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH02N250 IXYS

Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH02N250 за ціною від 685.30 грн до 1171.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH02N250 IXTH02N250 Littelfuse Inc. IXTx02N250%28S%29.pdf Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1171.94 грн
30+771.50 грн
120+685.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250 IXTx02N250%28S%29.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1171.94 грн
30+771.50 грн
120+685.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.