на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1225.36 грн |
| 10+ | 868.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH02N250 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH02N250 за ціною від 678.16 грн до 1491.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTH02N250 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTH02N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 1.5µs Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W On-state resistance: 450Ω Drain-source voltage: 2.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTH02N250 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Features of semiconductor devices: standard power mosfet Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 1.5µs Drain current: 0.2A Power dissipation: 83W On-state resistance: 450Ω Drain-source voltage: 2.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT |
товару немає в наявності |