Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH02N450HV
IXTH02N450HV

IXTH02N450HV Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1992.06 грн
30+1269.23 грн
120+1212.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH02N450HV Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH02N450HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH02N450HV IXTH02N450HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N450HV_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV IXTH02N450HV IXYS IXTH02N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N450HV_Datasheet.PDF
IXTH02N450HV
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV IXTH02N450HV.pdf
IXTH02N450HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.