на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1879.36 грн |
| 10+ | 1431.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH02N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTH02N450HV за ціною від 1286.19 грн до 2138.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH02N450HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HVPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH02N450HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXTH02N450HV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IXTH02N450HV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTH02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |