IXTH02N450HV IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1702.89 грн |
30+ | 1359.66 грн |
120+ | 1274.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH02N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTH02N450HV за ціною від 1133.61 грн до 1954.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH02N450HV | Виробник : IXYS | MOSFET MSFT N-CH STD-VERY HI VOLTAGE |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTH02N450HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH02N450HV - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTH02N450HV | Виробник : Littelfuse | High Voltage Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTH02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTH02N450HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 0.2A Power dissipation: 113W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 4.5kV Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 625Ω |
товар відсутній |