на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1797.03 грн |
| 10+ | 1573.77 грн |
| 120+ | 1197.35 грн |
| 270+ | 1163.39 грн |
| 510+ | 1064.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH04N300P3HV IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 3kV, Drain current: 0.4A, Power dissipation: 104W, Case: TO247HV, On-state resistance: 190Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 1.1µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH04N300P3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH04N300P3HV | Виробник : Littelfuse |
 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
IXTH04N300P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 3kV Drain current: 0.4A Power dissipation: 104W Case: TO247HV On-state resistance: 190Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.1µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXTH04N300P3HV") |
IXTH04N300P3HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV |
товар відсутній |
|
|
|
IXTH04N300P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 0.4A; 104W; TO247HV; 1.1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 3kV Drain current: 0.4A Power dissipation: 104W Case: TO247HV On-state resistance: 190Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.1µs |
товар відсутній |