Продукція > LITTELFUSE > IXTH10N100D2
IXTH10N100D2

IXTH10N100D2 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1216.22 грн
10+1146.38 грн
25+1018.52 грн
100+957.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH10N100D2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 695W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 957.27 грн до 1682.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1216.22 грн
13+1146.38 грн
25+1018.52 грн
100+957.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28 Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.48 грн
30+1031.83 грн
60+961.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_10N100_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 IXTH10N100D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 695W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 media.pdf
IXTH10N100D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1216.22 грн
13+1146.38 грн
25+1018.52 грн
100+957.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-10n100-datasheet?assetguid=5e358144-35f5-4d3b-b405-1eaa211abc28
IXTH10N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1682.48 грн
30+1031.83 грн
60+961.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_10N100_Datasheet.PDF
IXTH10N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2 LFSI-S-A0007909491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH10N100D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 695W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.