IXTH10N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1250.95 грн |
| 30+ | 845.04 грн |
| 120+ | 805.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 844.22 грн до 1706.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns |
товару немає в наявності |