IXTH10N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1698.50 грн |
| 30+ | 1041.78 грн |
| 120+ | 911.94 грн |
| 510+ | 845.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 1006.09 грн до 1733.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH10N100D2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH10N100D2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTH10N100D2 | IXYS |
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTH10N100D2 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH10N100D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1715.93 грн |
| 10+ | 1669.44 грн |
| 25+ | 1110.90 грн |
| 100+ | 1006.09 грн |
| IXTH10N100D2 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1733.22 грн |
| 5+ | 1715.93 грн |
| 10+ | 1669.44 грн |
| 25+ | 1110.90 грн |
| 100+ | 1006.09 грн |
| IXTH10N100D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTH10N100D2 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





