IXTH10N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1241.84 грн |
| 30+ | 838.89 грн |
| 120+ | 799.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 1132.88 грн до 1655.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH10N100D2 | IXYS |
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH10N100D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1655.09 грн |
| 10+ | 1132.88 грн |