
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1388.63 грн |
5+ | 1374.78 грн |
10+ | 1337.53 грн |
25+ | 890.04 грн |
100+ | 806.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10N100D2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH10N100D2 за ціною від 868.07 грн до 1537.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTH10N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns |
товару немає в наявності |