IXTH10P50P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 513.42 грн |
| 3+ | 324.52 грн |
| 7+ | 306.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10P50P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH10P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTH10P50P за ціною від 292.94 грн до 621.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH10P50P") |
IXTH10P50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH10P50P | Виробник : IXYS |
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTH10P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 414ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH10P50P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH10P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |