IXTH10P60 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 758.29 грн |
30+ | 591 грн |
120+ | 556.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10P60 IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 602.19 грн до 906.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH10P60 | Виробник : IXYS | MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns Mounting: THT Reverse recovery time: 0.5µs Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns Mounting: THT Reverse recovery time: 0.5µs Case: TO247-3 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |