IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 963.51 грн |
| 5+ | 782.46 грн |
| 10+ | 601.42 грн |
| 50+ | 553.54 грн |
| 100+ | 507.17 грн |
| 250+ | 502.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 572.67 грн до 1392.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 135nC On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |