на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 990.50 грн |
| 25+ | 944.76 грн |
| 50+ | 906.75 грн |
| 100+ | 843.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH10P60 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 511.04 грн до 1383.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTH10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTH10P60 | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 135nC On-state resistance: 1Ω Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |