Продукція > IXYS > IXTH10P60
IXTH10P60

IXTH10P60 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+758.29 грн
30+ 591 грн
120+ 556.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH10P60 IXYS

Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 602.19 грн до 906.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+808.02 грн
10+ 634.72 грн
25+ 634.58 грн
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : IXYS ixyss08987_1-2272388.pdf MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+906.62 грн
10+ 820.73 грн
30+ 684.3 грн
120+ 602.19 грн
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 0.5µs
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXTH10P60 IXTH10P60 Виробник : IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Mounting: THT
Reverse recovery time: 0.5µs
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній