Продукція > LITTELFUSE > IXTH10P60
IXTH10P60

IXTH10P60 Littelfuse

littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+835.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH10P60 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 529.14 грн до 1198.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+835.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS DS98849EIXTHT10P60.pdf Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1106.84 грн
30+654.02 грн
60+605.03 грн
120+529.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1169.47 грн
25+1115.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1169.47 грн
25+1115.48 грн
50+1070.59 грн
100+995.96 грн
250+893.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P60_Datasheet.PDF MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 440 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1198.76 грн
10+673.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+835.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 DS98849EIXTHT10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1106.84 грн
30+654.02 грн
60+605.03 грн
120+529.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1169.47 грн
25+1115.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 littelfusediscretemosfetspchannelixt10p60datasheet.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1169.47 грн
25+1115.48 грн
50+1070.59 грн
100+995.96 грн
250+893.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P60_Datasheet.PDF
IXTH10P60
Виробник: IXYS
MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 440 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1198.76 грн
10+673.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 LFSI-S-A0007924759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH10P60
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.