Продукція > IXYS > IXTH10P60
IXTH10P60

IXTH10P60 IXYS

DS98849EIXTHT10P60.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+949.47 грн
30+554.34 грн
120+475.49 грн
510+402.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH10P60 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTH10P60 за ціною від 824.19 грн до 1540.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.46 грн
10+824.38 грн
25+824.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1103.11 грн
25+1052.17 грн
50+1009.84 грн
100+939.44 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1330.55 грн
12+1224.63 грн
25+1175.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1540.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS SEMICONDUCTOR DS98849EIXTHT10P60.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS media-3323159.pdf MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 media.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1049.46 грн
10+824.38 грн
25+824.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 media.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1103.11 грн
25+1052.17 грн
50+1009.84 грн
100+939.44 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1330.55 грн
12+1224.63 грн
25+1175.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 media.pdf
IXTH10P60
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1540.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 DS98849EIXTHT10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 media-3323159.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.