IXTH110N10L2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1330.37 грн |
| 30+ | 805.93 грн |
| 120+ | 725.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH110N10L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH110N10L2 за ціною від 944.39 грн до 1556.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH110N10L2 | IXYS |
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH110N10L2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1556.03 грн |
| 10+ | 1255.94 грн |
| 120+ | 954.05 грн |
| 510+ | 944.39 грн |