Продукція > IXYS > IXTH110N25T
IXTH110N25T

IXTH110N25T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH110N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH110N25T за ціною від 369.62 грн до 776.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.18 грн
30+583.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : IXYS media-3319994.pdf MOSFETs 110 Amps 250V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.44 грн
10+429.45 грн
120+369.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B917DB820&compId=IXTH110N25T.pdf?ci_sign=70bf22a6c770d2e1a644817b2000fd043bc19e40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.16 грн
25+619.57 грн
30+588.03 грн
120+519.30 грн
270+490.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixth110n25t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25T IXTH110N25T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.