Продукція > LITTELFUSE > IXTH11P50
IXTH11P50

IXTH11P50 Littelfuse

littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+697.46 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 98 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH11P50 Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH11P50 за ціною від 551.70 грн до 1284.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH11P50 IXTH11P50 Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+698.27 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Littelfuse Inc. IXTx11P50_Rev2005.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.80 грн
30+551.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 300W
Gate charge: 145nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+913.68 грн
3+767.81 грн
5+720.45 грн
10+643.17 грн
30+637.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1284.63 грн
14+1082.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_11P50_Datasheet.PDF MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf
IXTH11P50
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
90+698.27 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTx11P50_Rev2005.pdf
IXTH11P50
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+890.80 грн
30+551.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 DS94535L(IXTH-T11P50).pdf
IXTH11P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 300W
Gate charge: 145nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.68 грн
3+767.81 грн
5+720.45 грн
10+643.17 грн
30+637.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf
IXTH11P50
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1284.63 грн
14+1082.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_11P50_Datasheet.PDF
IXTH11P50
Виробник: IXYS
MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.