Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH11P50 Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTH11P50 за ціною від 526.73 грн до 1284.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTH11P50 | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH11P50 | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -11A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH11P50 | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH11P50 | IXYS |
MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTH11P50 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 698.27 грн |
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 817.93 грн |
| 3+ | 693.03 грн |
| 10+ | 584.17 грн |
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 890.80 грн |
| 30+ | 551.70 грн |
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1100.98 грн |
| 10+ | 765.31 грн |
| 120+ | 571.60 грн |
| 510+ | 526.73 грн |
| IXTH11P50 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1284.63 грн |
| 14+ | 1082.21 грн |






