Продукція > LITTELFUSE > IXTH11P50
IXTH11P50

IXTH11P50 Littelfuse

littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+621.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH11P50 Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH11P50 за ціною від 540.39 грн до 1314.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : IXYS DS94535L(IXTH-T11P50).pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Gate charge: 145nC
Reverse recovery time: 0.5µs
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.77 грн
3+688.66 грн
10+580.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : IXYS media-3320654.pdf MOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+862.74 грн
10+540.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : Littelfuse Inc. IXTx11P50_Rev2005.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.18 грн
30+548.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1145.17 грн
13+989.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1314.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50 IXTH11P50 Виробник : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt11p50datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.