
IXTH11P50 IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 818.37 грн |
2+ | 601.41 грн |
5+ | 568.00 грн |
10+ | 558.67 грн |
30+ | 546.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH11P50 IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH11P50 за ціною від 543.78 грн до 982.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: -500V Drain current: -11A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTH11P50 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |