IXTH120N20X4 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 511.88 грн |
| 30+ | 380.42 грн |
| 120+ | 364.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH120N20X4 IXYS
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH120N20X4 за ціною від 421.25 грн до 936.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH120N20X4 | IXYS |
MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH120N20X4 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 936.15 грн |
| 10+ | 688.24 грн |
| 120+ | 426.88 грн |
| 510+ | 421.25 грн |