IXTH120P065T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 573.10 грн |
| 3+ | 389.25 грн |
| 7+ | 367.93 грн |
| 30+ | 354.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH120P065T IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH120P065T за ціною від 316.35 грн до 847.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH120P065T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH120P065T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTH120P065T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: TO247-3 Technology: TrenchP™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 53ns On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 298W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH120P065T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTH120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTH120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTH120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |