Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH120P065T
IXTH120P065T

IXTH120P065T Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+584.03 грн
30+348.53 грн
120+299.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH120P065T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH120P065T за ціною від 346.93 грн до 653.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.30 грн
10+346.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXTH120P065T IXYS IXT_120P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+653.27 грн
10+414.65 грн
30+377.26 грн
60+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.30 грн
10+346.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T IXT_120P065T.pdf
IXTH120P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+653.27 грн
10+414.65 грн
30+377.26 грн
60+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.