.jpg "IXTH12N100L")
IXTH12N100L IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1438.53 грн |
| 30+ | 1148.38 грн |
| 120+ | 1076.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH12N100L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH12N100L за ціною від 1197.79 грн до 1562.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH12N100L | Виробник : IXYS |
MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTH12N100L | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTH12N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 12A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXTH12N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 12A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs |
товар відсутній |