на замовлення 3 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1146.51 грн |
| 10+ | 1029.56 грн |
| 30+ | 876.58 грн |
| 120+ | 730.37 грн |
| 270+ | 728.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH12N150 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH12N150
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH12N150 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXTH12N150 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXTH12N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO247-3; 1.2us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 106nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 1.2µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXTH12N150") |
IXTH12N150 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTH12N150 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO247-3; 1.2us Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 106nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 1.2µs |
товар відсутній |