Продукція > IXYS > IXTH12N70X2
IXTH12N70X2

IXTH12N70X2 IXYS


ixty2n65x2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH12N70X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH12N70X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS media-3323284.pdf MOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2 media-3323284.pdf
IXTH12N70X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.