Продукція > IXYS > IXTH12N70X2
IXTH12N70X2

IXTH12N70X2 IXYS

IXTH12N70X2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.64 грн
3+ 267.09 грн
9+ 252.56 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH12N70X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH12N70X2 за ціною від 228.85 грн до 481.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.22 грн
10+ 368.46 грн
100+ 307.08 грн
500+ 254.27 грн
1000+ 228.85 грн
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 Виробник : IXYS IXTH12N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+481.97 грн
3+ 332.83 грн
9+ 303.07 грн
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 Виробник : IXYS media-3323284.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній