Продукція > IXYS > IXTH130N15X4

IXTH130N15X4 IXYS


media-3323517.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+957.62 грн
10+831.20 грн
120+640.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH130N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTH130N15X4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH130N15X4 IXTH130N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.