IXTH140P05T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 664.80 грн |
| 30+ | 401.48 грн |
| 120+ | 347.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH140P05T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH140P05T за ціною від 382.45 грн до 766.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH140P05T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A Reverse recovery time: 53ns Gate charge: 200nC On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±15V |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTH140P05T | IXYS |
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH140P05T |
|
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.85 грн |
| 3+ | 573.37 грн |
| 10+ | 480.30 грн |
| 30+ | 464.51 грн |
| IXTH140P05T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 766.74 грн |
| 10+ | 712.12 грн |
| 30+ | 412.13 грн |
| 120+ | 382.45 грн |