Продукція > IXYS > IXTH140P10T
IXTH140P10T

IXTH140P10T IXYS

IXT_140P10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -140A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 568W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1228.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH140P10T IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO247, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції IXTH140P10T за ціною від 1020.77 грн до 1488.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH140P10T IXTH140P10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_140P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1430.61 грн
10+1020.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXTH140P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1488.46 грн
10+1317.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.