Продукція > IXYS > IXTH140P10T
IXTH140P10T

IXTH140P10T IXYS

IXT_140P10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH140P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTH140P10T за ціною від 1305.33 грн до 1474.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1474.83 грн
10+1305.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_140P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T IXTH140P10T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
IXTH140P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1474.83 грн
10+1305.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_140P10T_Datasheet.PDF
IXTH140P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_140p10t_datasheet.pdf.pdf
IXTH140P10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.