Продукція > IXYS > IXTH160N10T
IXTH160N10T

IXTH160N10T IXYS


media-3320660.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 300 шт:

термін постачання 498-507 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.55 грн
10+ 482.78 грн
30+ 335.45 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH160N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 430W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH160N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH160N10T IXTH160N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXTH160N10T IXTH160N10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній