IXTH16N10D2 - Транзистори - Польові N-канальні

IXTH16N10D2

Код товару: 79258

Виробник:
Транзистори - Польові N-канальні

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_16n10_datasheet.pdf.pdf

В наявності/на замовлення

Технічний опис IXTH16N10D2

Ціна IXTH16N10D2 від 668.07 грн до 1165.45 грн

IXTH16N10D2
Виробник: IXYS
Material: IXTH16N10D2 THT N channel transistors

на замовлення 1 шт
термін постачання 28-42 дні (днів)

2+	707.12 грн
3+	668.07 грн

IXTH16N10D2
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET

на замовлення 279 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)

1+	1161.08 грн
10+	1052.04 грн
30+	876.44 грн
120+	771.68 грн

IXTH16N10D2
Виробник: IXYS
Material: IXTH16N10D2 THT N channel transistors

на замовлення 1 шт
термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1165.45 грн
3+	1020.52 грн
10+	854.11 грн
30+	768.84 грн

IXTH16N10D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247

mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_16n10_datasheet.pdf.pdf

товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик

IXTH16N10D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube

на замовлення 876 шт
термін постачання 14-28 дні (днів)