IXTH16N10D2 - Транзистори - Польові N-канальні
Технічний опис IXTH16N10D2
Ціна IXTH16N10D2 від 668.07 грн до 1165.45 грн
IXTH16N10D2 Виробник: IXYS Material: IXTH16N10D2 THT N channel transistors ![]() |
на замовлення 1 шт ![]() термін постачання 28-42 дні (днів) |
|
|
||||||||
IXTH16N10D2 Виробник: IXYS MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET ![]() |
на замовлення 279 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
||||||||
IXTH16N10D2 Виробник: IXYS Material: IXTH16N10D2 THT N channel transistors ![]() |
на замовлення 1 шт ![]() термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|
||||||||
IXTH16N10D2 Виробник: Littelfuse Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 ![]() |
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||||||||
IXTH16N10D2 Виробник: IXYS Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Power Dissipation (Max): 830W (Tc) FET Feature: Depletion Mode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube ![]() |
на замовлення 876 шт ![]() термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|