Інші пропозиції IXTH16N10D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH16N10D2 |
 MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXTH16N10D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTH16N10D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH16N10D2 |
|
MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTH16N10D2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTH16N10D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
MOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.