Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTH16N20D2
IXTH16N20D2

IXTH16N20D2 Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n20-datasheet?assetguid=8811eaa4-1b0a-444e-95c9-7c8f15f90994
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1554.04 грн
30+943.64 грн
120+855.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH16N20D2 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH16N20D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_16N20_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_16N20_Datasheet.PDF
IXTH16N20D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 LFSI-S-A0007909480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH16N20D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.