IXTH16N20D2 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 695W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1201.28 грн |
| 10+ | 1103.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH16N20D2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 695W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH16N20D2 за ціною від 879.91 грн до 1467.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH16N20D2") |
IXTH16N20D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTH16N20D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Power dissipation: 695W Reverse recovery time: 607ns Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTH16N20D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Power dissipation: 695W Reverse recovery time: 607ns Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |