IXTH16N50D2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1248.83 грн |
| 10+ | 957.05 грн |
| 30+ | 885.28 грн |
| 120+ | 770.71 грн |
| 270+ | 744.99 грн |
| 510+ | 728.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH16N50D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH16N50D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH16N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTH16N50D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
MOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)