IXTH16P60P

IXTH16P60P Littelfuse Inc.


media?resourcetype=datasheets&itemid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.00 грн
30+535.59 грн
120+482.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH16P60P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH16P60P за ціною від 488.80 грн до 995.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH16P60P IXTH16P60P Виробник : IXYS media-3322334.pdf MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+916.66 грн
10+729.28 грн
30+590.75 грн
60+565.00 грн
120+540.73 грн
270+514.24 грн
510+491.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007924011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+995.29 грн
5+905.34 грн
10+814.56 грн
25+672.84 грн
100+542.57 грн
500+488.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_16p60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P IXTH16P60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.