
IXTH16P60P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 873.00 грн |
30+ | 535.59 грн |
120+ | 482.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH16P60P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH16P60P за ціною від 488.80 грн до 995.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH16P60P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH16P60P | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTH16P60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTH16P60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Reverse recovery time: 440ns On-state resistance: 720mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -16A кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTH16P60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247-3 Reverse recovery time: 440ns On-state resistance: 720mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -16A |
товару немає в наявності |