IXTH1N170DHV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1425.91 грн |
| 30+ | 862.61 грн |
| 120+ | 776.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N170DHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH1N170DHV за ціною від 1041.41 грн до 1528.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N170DHV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTH1N170DHV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 1A Drain-source voltage: 1.7kV Reverse recovery time: 30ns On-state resistance: 16Ω Power dissipation: 290W Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |