Продукція > IXYS > IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV IXYS


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1n170dhv-datasheet?assetguid=e3da0f54-331d-4535-9890-1500e65c4eb9 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1439.26 грн
30+870.69 грн
120+783.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH1N170DHV IXYS

Description: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH1N170DHV за ціною від 1051.16 грн до 1542.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH1N170DHV IXTH1N170DHV Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1N170DHV_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1542.36 грн
10+1051.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.