Продукція > IXYS > IXTH1N200P3
IXTH1N200P3

IXTH1N200P3 IXYS

media-3320648.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.40 грн
10+652.74 грн
30+364.35 грн
120+350.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH1N200P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH1N200P3 за ціною від 362.74 грн до 754.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.06 грн
30+428.07 грн
120+362.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDCB63FB405820&compId=IXTA(H)1N200P3HV.pdf?ci_sign=deac538022c3e7b6cce7ceee522f5c545d6ce7d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 2kV
кількість в упаковці: 300 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDCB63FB405820&compId=IXTA(H)1N200P3HV.pdf?ci_sign=deac538022c3e7b6cce7ceee522f5c545d6ce7d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2.3us
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.