
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 657.81 грн |
10+ | 629.22 грн |
30+ | 351.22 грн |
120+ | 337.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N200P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH1N200P3 за ціною від 349.67 грн до 726.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTH1N200P3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IXTH1N200P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
IXTH1N200P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
IXTH1N200P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |