на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 652.85 грн |
| 10+ | 567.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N200P3HV IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 2kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 125W, Case: TO247HV, On-state resistance: 40Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 2.3µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTH1N200P3HV за ціною від 584.26 грн до 656.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
 MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV |
на замовлення 60 шт: термін постачання 413-422 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXTH1N200P3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247HV |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO247HV On-state resistance: 40Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXTH1N200P3HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247HV; 2.3us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 2kV Drain current: 1A Power dissipation: 125W Case: TO247HV On-state resistance: 40Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 2.3µs |
товар відсутній |