IXTH1N450HV IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2889.08 грн |
| 30+ | 1924.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N450HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTH1N450HV за ціною від 2725.57 грн до 3571.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N450HV | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 1.75µs Drain current: 1A On-state resistance: 80Ω Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
IXTH1N450HV | IXYS |
MOSFETs High Voltage Power MOSFET |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTH1N450HV |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3319.13 грн |
| 5+ | 2725.57 грн |
| IXTH1N450HV |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3571.94 грн |
| 10+ | 2761.95 грн |