IXTH1N450HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2709.34 грн |
| 10+ | 2487.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH1N450HV за ціною від 2251.25 грн до 3484.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N450HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs High Voltage Power MOSFET |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTH1N450HV | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 46nC Reverse recovery time: 1.75µs Drain current: 1A On-state resistance: 80Ω Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH1N450HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH1N450HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH1N450HV | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|