Продукція > IXYS > IXTH1N450HV
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV IXYS

DS100500DIXTTTH1N450HV.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2889.08 грн
30+1924.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH1N450HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTH1N450HV за ціною від 2725.57 грн до 4047.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS IXTH(T)1N450HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3319.13 грн
5+2725.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV Littelfuse media.pdf Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4047.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_1N450HV_Datasheet.PDF MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH1N450HV LITTELFUSE LFSI-S-A0007924170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV IXTH(T)1N450HV.pdf
IXTH1N450HV
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3319.13 грн
5+2725.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV media.pdf
IXTH1N450HV
Виробник: Littelfuse
Power MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4047.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_1N450HV_Datasheet.PDF
IXTH1N450HV
Виробник: IXYS
MOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HV LFSI-S-A0007924170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTH1N450HV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.