IXTH1N450HV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2864.29 грн |
| 30+ | 1907.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH1N450HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTH1N450HV за ціною від 2103.90 грн до 3660.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH1N450HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH1N450HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs High Voltage Power MOSFET |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTH1N450HV | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|