IXTH200N10T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 738.17 грн |
| 30+ | 421.16 грн |
| 120+ | 357.60 грн |
| 510+ | 308.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH200N10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchMV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXTH200N10T за ціною від 433.19 грн до 762.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH200N10T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 550W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 550W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchMV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH200N10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTH200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTH200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |