Продукція > IXYS > IXTH200N10T
IXTH200N10T

IXTH200N10T IXYS

media-3323539.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.32 грн
10+573.34 грн
30+451.60 грн
120+415.00 грн
270+390.14 грн
510+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH200N10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchMV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXTH200N10T за ціною від 285.51 грн до 698.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTH200N10T IXTH200N10T Виробник : IXYS DS99654AIXTHTQ200N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.84 грн
30+389.59 грн
120+330.79 грн
510+285.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTH200N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchMV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+698.46 грн
10+631.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N10T IXTH200N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.