Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTH20N65X IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V.
Інші пропозиції IXTH20N65X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTH20N65X | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTH20N65X | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTH20N65X |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTH20N65X |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.