Продукція > IXYS > IXTH20N65X2
IXTH20N65X2

IXTH20N65X2 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+648.75 грн
30+364.25 грн
60+333.17 грн
120+288.17 грн
510+248.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH20N65X2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 290W, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.185Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC.

Інші пропозиції IXTH20N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_20N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS IXTA(H,P)20N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_20N65X2_Datasheet.PDF
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 IXTA(H,P)20N65X2.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20N65X2 media.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: Littelfuse
Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.