Продукція > IXYS > IXTH220N20X4
IXTH220N20X4

IXTH220N20X4 IXYS


media-3318983.pdf Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 220A 200V X4 T
на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1349.99 грн
30+ 1118.34 грн
60+ 936.6 грн
120+ 881.47 грн
510+ 779.84 грн
1020+ 734.01 грн
2520+ 716.07 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTH220N20X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISO TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTH220N20X4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTH220N20X4 Виробник : Littelfuse media.pdf Discrete MOSFET 220A 200V X4 TO247
товар відсутній
IXTH220N20X4 IXTH220N20X4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth220n20x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISO TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
товар відсутній